| 发明名称 | 一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于合金材料技术领域。提出的一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法，采用低固溶度Cu－Al合金粉末，其铝含量不大于1.00wt％，余量为Cu，纯铬金属粉末、工业级Cu<SUB>2</SUB>O作为原材料，其中，Cu－Al合金粉与氧化剂Cu<SUB>2</SUB>O的混合比例为(94～96)wt％∶(6～4)wt％，Cu－Al合金粉和氧化剂Cu<SUB>2</SUB>O的总量与Cr粉的混合比例为(75～50)wt％∶(25～50)wt％；制备工艺包括：合金熔炼，制粉，混粉，压制，内氧化和热挤压，冷拉拔成型；其中内氧化与烧结同时进行，烧结的温度为900－1050℃，烧结时间4～10小时；获得的弥散铜基真空开关触头复合材料主要包含有弥散铜基体Cu－Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和Cr质点，其Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含量≤1.50wt％，颗粒直径不大于100nm，Cr含量25wt％～50wt％。 | ||
| 申请公布号 | CN101290838A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200810050064.7 | 申请日期 | 2008.06.19 |
| 申请人 | 河南科技大学 | 发明人 | 田保红;刘平;刘勇;夏承东;宋克兴;任凤章;贾淑果;李红霞;朱建娟 |
| 分类号 | H01H11/04(2006.01);H01H1/025(2006.01);C22C9/01(2006.01);C22C1/04(2006.01) | 主分类号 | H01H11/04(2006.01) |
| 代理机构 | 郑州中民专利代理有限公司 | 代理人 | 郭中民 |
| 主权项 | 1、一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法，其特征是：采用低固溶度Cu-Al合金粉末，其铝含量不大于1.00wt％，余量为Cu，纯铬金属粉末、工业级Cu2O作为原材料，其中，Cu-Al合金粉与氧化剂Cu2O的混合比例为(94～96)wt％：(6～4)wt％，Cu-Al合金粉和氧化剂Cu2O的总量与Cr粉的混合比例为(75～50)wt％：(25～50)wt％；制备工艺包括：合金熔炼，制粉，混粉，压制，内氧化和热挤压，冷拉拔成型；其中内氧化与烧结同时进行，烧结的温度为900-1050℃，烧结时间4～10小时；获得的弥散铜基真空开关触头复合材料主要包含有弥散铜基体Cu-Al2O3和Cr质点，其Al2O3含量≤1.50wt％，颗粒直径不大于100nm，Cr含量25wt％～50wt％。 | ||
| 地址 | 471003河南省洛阳市西苑路48号 | ||