| 发明名称 | 一种TFT LCD像素结构 | ||
| 摘要 | 一种TFT LCD像素结构，其将环形或多边形的TFT器件设计到栅线(gate)上，最重要的是将像素的过孔(via hole)部分也设计到栅线上，此种设计可以在不降低开口率的情况下增加沟道的宽长比(W/L)，提高开态电流(Ion)，最重要的是可以对目前彩膜(color filter)所采用的柱形隔垫物(PS)起到一定的限制作用。 | ||
| 申请公布号 | CN100428039C | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200510115035.0 | 申请日期 | 2005.11.23 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 高文宝 |
| 分类号 | G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1368(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 1、一种TFT LCD像素结构，包括玻璃基板、形成于玻璃基板上的TFT器件，TFT器件部分全部形成于栅极引线上，其特征在于：所述的TFT器件部分包括与栅极引线为一体的圆形栅极、形成于栅极上的圆形有源层、形成于有源层上的双圆环形源漏电极、形成于源漏电极之间的圆环形导电沟道、形成于源漏电极及导电沟道上方的钝化层、在钝化层上形成的圆形过孔，像素电极通过圆形过孔与源极相连。 | ||
| 地址 | 100176北京经济技术开发区西环中路8号 | ||