| 发明名称 | 多晶硅沉积制程 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅沉积制程，首先在反应机台上调节反应参数，在反应炉内充入硅烷(SiH<SUB>4</SUB>)以在衬底上形成多晶硅，当沉积结束后，结束硅烷的充入。与现有技术相比，对于深宽比大于2∶1的沟槽，本发明通过调节机台的反应参数(反应炉内压力调节至小于500毫托，硅烷流量调节至小于0.5升/分钟，反应温度设置为560℃)，可以改善多晶硅的填充能力，有效防止沉积的多晶硅中出现空洞。 | ||
| 申请公布号 | CN101289739A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710039782.X | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 翟志刚;李远哲;陈鸿奎 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01);C23C16/52(2006.01);C30B28/14(2006.01) | 主分类号 | C23C16/24(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅沉积制程，首先在反应机台上调节反应参数，在反应炉内充入硅烷(SiH4)以在衬底上形成多晶硅，当沉积结束后，结束硅烷的充入；其特征在于：机台的反应参数中，反应炉内压力调节至小于500毫托。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||