| 发明名称 | 半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够抑制半导体膜的膜质不稳定的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：导入半导体的材料气体的工序；将材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；在气氛压力被调压至规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和通过加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101290878A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200810092532.7 | 申请日期 | 2008.04.18 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 寺川朗;浅海利夫 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L31/18(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23C16/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种半导体膜的制造方法，其特征在于，包括：导入半导体的材料气体的工序；将所述材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；在所述气氛压力被调压至所述规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和利用加热的所述催化线分解所述材料气体，形成半导体膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||