基于单根金属氧化物纳米线场效应管的微腔气敏传感器

摘要

本发明属于纳米与气敏传感器技术领域，具体涉及一种场效应管的微腔气敏传感器。该传感器采用在微腔内基于单根金属氧化物纳米线的气敏芯片设计，其中，纳米线材料可以是ZnO、SnO₂、TiO₂或In₂O等。本发明的气敏传感器灵敏度高、响应速度快，无需外加热历而功耗小；可利用栅极电压来调制灵敏度和选择性；便于与其它分离装置结合作选择性探测。可用于O₂、NO₂、CO、H₂、甲醛和酒精等气体的检测。

主权项

1、一种基于单根金属氧化物纳米线场效应晶体管的微腔气敏传感器，其特征在于由气敏芯片(1)、金丝引线(2)、管座(3)和玻璃盖(4)组成，其中，气敏芯片(1)粘结在管座(3)上，由金丝引线(2)引出电极，玻璃盖(4)与管座(3)封结，中间形成一微腔，两端由细管(5)引出，用以导入待探测气体；所述的气敏芯片(1)由金属氧化物纳米线、方块矩阵电极和基底组成，其中，单根金属氧化物纳米线(8)压在由光刻制备的方块矩阵电极下，两端作场效应管的源极(6)和漏极(9)，基底(10)采用P+硅片，作为场效应管的栅极，基底(10)上面表面制备有氧化层(7)。