| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括下列步骤：在半导体基底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层；蚀刻腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基底，形成浅沟槽；在浅沟槽侧壁形成衬氧化层；用次常压化学气相沉积法在浅沟槽内填充满绝缘层，所述沉积法选用比例为10/1～20/1的O<SUB>3</SUB>/TEOS；退火半导体基底后，平坦化绝缘层至露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤，浅沟槽隔离结构中不会产生带洞的缝隙，进而不会产生漏电流及短路现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101290903A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710039813.1 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 向阳辉;荆学珍 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：a.在半导体基底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层；b.蚀刻腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基底，形成浅沟槽；c.在浅沟槽侧壁形成衬氧化层；d.用次常压化学气相沉积法在浅沟槽内填充满绝缘层，所述沉积法选用比例为10/1～20/1的O3/TEOS；e.退火半导体基底后，平坦化绝缘层至露出腐蚀阻挡层；f.去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||