发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法,谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。介由第一绝缘膜(11)形成在半导体衬底(10)上的焊盘电极(12)上形成高熔点金属层(13)。其次,在含焊盘电极(12)及高熔点金属层(13)上的半导体衬底(10)的表面上形成钝化层14,进而介由树脂层(15)形成支承体(16)。其次,蚀刻半导体衬底(10),形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(12)的通孔(17)。其次,介由第二绝缘膜(18)形成与在通孔17底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成抗焊剂层(22)、导电端子(23)。最后,通过进行切割,将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10A)。 |
申请公布号 |
CN100428456C |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200510118100.5 |
申请日期 |
2005.10.25 |
申请人 |
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
发明人 |
龟山工次郎;铃木彰;梅本光雄 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李贵亮;杨梧 |
主权项 |
1、一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体芯片;焊盘电极,其形成于所述半导体芯片的表面侧;高熔点金属层,其形成于所述焊盘电极上;第一保护层,其形成于所述半导体芯片表面侧,覆盖在所述焊盘电极及所述高熔点金属层上;通孔,其从所述半导体芯片的背面到达该焊盘电极;贯通电极,其形成于所述通孔内,且与该通孔底部的焊盘电极电连接。 |
地址 |
日本大阪府 |