| 发明名称 | 在块状衬底上集成平面型与非平面型CMOS晶体管的工艺及用此工艺制作的器件 | ||
| 摘要 | 一种能够将平面型(10)和非平面型(20、30)晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。 | ||
| 申请公布号 | CN101292346A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200680035521.4 | 申请日期 | 2006.09.26 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·卡瓦利罗斯;J·布拉斯克;B·多伊尔;U·沙;S·达塔;M·多奇;M·梅茨;R·仇 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种器件，包括：在块状半导体衬底上形成的平面型晶体管和非平面型晶体管。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||