将介电材料改性的方法

摘要

本发明涉及用于将材料改性的方法，该材料包括例如被制备方法如等离子体蚀刻处理损坏的与电子基体、半导体芯片、晶片等有关的介电材料。所述方法改善由例如杨氏模数测量的结构完整性，以及由例如在液体/表面界面的接触角测量的疏水性。

主权项

1.一种将介电材料改性或修复的方法，所述方法包括：使具有损坏部位的介电材料与包含烷氧基硅烷甲硅烷基化试剂的近临界或超临界流体接触，因此所述损坏部位被基本上改性，从而修复所述试剂接触的所述部位。