4F平方自对准侧壁主动相变化存储器

摘要

本发明公开了一种存储单元阵列、存储单元阵列装置，以及其制造方法。所述的存储单元包括自对准侧壁存储构件，该自对准侧壁存储构件包括一主动可编程电阻材料。在较佳实施例中，此存储单元的面积为4F²，F为用以制造此存储单元的光刻工艺的特征尺寸，F为最小特征尺寸。所述的存储单元阵列包括以交叉点阵列排列的存储单元，此阵列具有多条字线与源极线各自沿着一第一方向平行排列，并具有多条位线沿着一第二方向平行排列，其中第二方向垂直于第一方向。

主权项

1、一种存储器结构，其特征在于，该存储器结构包括：一存储单元阵列，位于一衬底上，其中该存储单元阵列的一存储单元包括：一第一字线，位于该衬底上而沿着一第一方向延伸，该第一字线具有一第一字线宽度以及一第一主要侧壁表面；一第一侧壁介电构件，形成于该第一字线的该第一主要侧壁表面上；一第一存储构件，位于该第一侧壁介电构件上，该第一存储构件具有一第一底表面；一第一掺杂区域，位于该衬底上而电接触至该第一底表面；以及一顶电极构件，具有沿着一第二方向延伸的一侧边，该顶电极构件位于该第一存储构件之上并电接触至该第一存储构件，该第一存储构件具有与该顶电极结构的侧边对准的一侧边。