| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件及其制造方法，以EEPROM3构成可电重写的非易失性存储器件，以OTPROM4a构成不可电重写的非易失性存储器件。由能以低成本且相同的制造工序制造的相变存储元件构成EEPROM3和OTPROM4a这两者，在EEPROM3中使用将相变材料的非晶状态和结晶状态用作存储信息的相变存储元件，在OPTROM4a中使用将相变材料的非断线状态和断线状态用作存储信息的相变存储元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101292350A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200580051865.X | 申请日期 | 2005.10.17 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 松崎望;长田健一 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，在同一半导体衬底上具有可电重写的第一非易失性存储器件和不可电重写的第二非易失性存储器件，其特征在于：上述第一非易失性存储器件由可多次重写存储信息的第一相变存储元件构成，上述第二非易失性存储器件由仅可写入一次存储信息的第二相变存储元件构成，上述第一相变存储元件和上述第二相变存储元件的信息保持部具有相同的结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||