| 发明名称 | 修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，包括：提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层。本发明还提供栅极的制造方法。本发明方法工艺简单，并能够避免在修复栅极侧壁刻蚀损伤时对栅氧化层的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101290880A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710039806.1 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 虞肖鹏;张复雄 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1、一种修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，包括：提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||