半导体装置及其制造方法

摘要

在现有的具备层叠型强电介质电容器的半导体装置中，在缩小衬底面内方向的电容器的间距而提高面积效率时，由于成批蚀刻下部电极膜/强电介质膜/上部电极膜的层叠膜的蚀刻残渣，会产生上部电极和下部电极的漏电，产生电容器劣化的问题。本发明通过形成多个下部电极、和覆盖下部电极的表面及侧壁面的强电介质膜、以及在强电介质膜上与下部电极对向配置的上部电极，来防止下部电极和上部电极短路而漏电的情况。并且，通过强电介质膜连续覆盖下部电极，并按规定的关系来设定下部电极之间的间距和强电介质膜的膜厚，将强电介质膜的表面做成平坦面以抑制其侧壁的露出，防止电容器劣化。

主权项

1.一种半导体装置，包括：与在半导体衬底上形成的第一晶体管一侧的杂质扩散区电连接的第一下部电极；与在上述半导体衬底上形成的第二晶体管一侧的杂质扩散区电连接的第二下部电极；覆盖上述第一下部电极与上述第二下部电极的表面及侧壁面的强电介质膜；在上述强电介质膜上与上述第一下部电极对向配置的第一上部电极；在上述强电介质膜上与上述第二下部电极对向配置的第二上部电极，其特征在于，在上述强电介质膜的表面中，填充上述第一下部电极与上述第二下部电极之间的间隙的部分的表面比上述第一以及第二下部电极的上表面高。