| 发明名称 | 可供堆叠的半导体装置及其制法 | ||
| 摘要 | 一种可供堆叠的半导体装置及其制法，提供一具有多个芯片的晶圆，该芯片及晶圆具有相对的主动面及非主动面，且于每一芯片主动面上设有多个焊垫，以于相邻两芯片的焊垫间形成沟槽，并于该焊垫至该沟槽的区域及该沟槽内覆盖一绝缘层，接着于该绝缘层上形成电性连接至芯片焊垫的金属层，及于该金属层上形成一连接层，该连接层的宽度小于该金属层的宽度，再沿该沟槽进行切割，以阻断相邻芯片间电性导接关系，复薄化该晶圆非主动面至该沟槽处，以使该金属层外露于该晶圆非主动面；以及分离所述芯片，形成多个可供堆叠的半导体装置；后续即可利用形成于该些半导体装置主动面及非主动面上的连接层及金属层进行相互堆叠及电性连接，以构成多芯片的堆叠结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101290896A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710104408.3 | 申请日期 | 2007.04.19 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 张锦煌;黄建屏;黄致明;萧承旭 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1.一种可供堆叠的半导体装置的制法，包括：提供一具有多个芯片的晶圆，该芯片及晶圆具有相对的主动面及非主动面，且于每一芯片主动面上设有多个焊垫；于相邻两芯片的焊垫间形成沟槽；于相邻两芯片的焊垫至该沟槽的区域及该沟槽内覆盖一绝缘层；于该绝缘层上形成一金属层，并令该金属层电性连接至芯片焊垫；于该金属层上形成一连接层；于相邻芯片间对应该沟槽位置进行切割，该切割深度大于沟槽的深度，以切断相邻芯片间的电性导通；薄化该晶圆非主动面至该沟槽处，以使该金属层外露于该晶圆非主动面；以及分离所述芯片，形成多个可供堆叠的半导体装置。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中县 | ||