| 发明名称 | 一种大功率发光晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法，第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征层(5)上面覆盖着第三高浓度n型层(4)，第三高浓度n型层(4)上面依次生长着量子阱层(3)和p型层(2)，p型层(2)上设置着漏极(1)，低浓度n型层(9)下面设置着栅极(8)，第二高浓度n型层(6)下面设置着源极(7)。制备时，去除衬底和缓冲层后再制作电极。本发明在发光二极管的基础上增加一个栅极控制区，制备成电流可控的大功率发光晶体管，可应用于照明领域。 | ||
| 申请公布号 | CN101290960A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200810028447.4 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 郭志友;赵华雄;孙慧卿;曾坤;高小奇;张建中;范广涵 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种大功率发光晶体管，其特征在于第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征层(5)上面覆盖着第三高浓度n型层(4)，第三高浓度n型层(4)上面依次生长着量子阱层(3)和p型层(2)，p型层(2)上设置着漏极(1)，低浓度n型层(9)下面设置着栅极(8)，第二高浓度n型层(6)下面设置着源极(7)。 | ||
| 地址 | 510630广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 | ||