| 发明名称 | 应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种集成电路的p-型场效应晶体管(PFET)(10)和n-型场效应晶体管(NFET)(12)。经由仅设置在PFET(10)而不是NFET(12)的源极和漏极区(111)中的晶格错配半导体层例如硅锗，将第一应变施加到PFET(10)而不是NFET(12)的沟道区(20)中。本发明提供了一种PFET(10)和NFET(12)的制造方法。在这些区域中蚀刻沟槽，从而变成PFET的源极和漏极区(111)，使晶格错配的硅锗层(121)外延生长在其中，以便将应变施加到与其相邻的PFET的沟道区。使一层硅(14)生长在硅锗层(121)之上，由这层硅形成硅化物(68)，从而提供了低电阻的源极和漏极区(111)。 | ||
| 申请公布号 | CN100428497C | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200480021901.3 | 申请日期 | 2004.08.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 陈华杰;杜里赛蒂·奇达姆巴拉奥;奥莱格·G.·格鲁斯晨科夫;安·L.·斯迪根;海宁·S.·杨 |
| 分类号 | H01L31/0328(2006.01);H01L31/0336(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0328(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1、一种具有互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路，所述晶体管包括p-型场效应晶体管和n-型场效应晶体管，其中经由设置在所述p-型场效应晶体管而不是n-型场效应晶体管的源极和漏极区中的半导体层，将第一应变施加到所述p-型场效应晶体管而不是n-型场效应晶体管的沟道区中，所述半导体层与设置在所述p-型场效应晶体管和所述n-型场效应晶体管的所述沟道区中的单晶半导体晶格错配。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||