发明名称 |
光刻制程、掩膜版及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法,该掩膜版可用于光刻制程。其中,掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外,掩膜版还包括一个波长缩短材料层,设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外,掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版,可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用,从而提高成像的分辨率。 |
申请公布号 |
CN100428055C |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200410083999.7 |
申请日期 |
2004.10.15 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林本坚;陈政宏;陈俊光;高蔡胜;刘如淦;施仁杰 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1、一种掩膜版,用于光刻制程中照射特定波长的光线以形成一个图形,其特征在于所述掩膜版包括:一个透明基板;一个吸收层,紧邻于所述透明基板,所述吸收层形成有至少一个开口;以及一个波长缩短材料层,设置于所述开口之中,其中所述波长缩短材料层与所述吸收层形成一个大体上为平面的表面,所述波长缩短材料层的折射系数大于1,并且与所述吸收层的折射系数不同。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |