| 发明名称 |
MEMORY HAVING NANOTUBE TRANSISTOR ACCESS DEVICE |
| 摘要 |
A memory cell includes a memory dement and a nanotube transistor contacting the memory element for accessing the memory dement.
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| 申请公布号 |
KR20080094029(A) |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
| 申请号 |
KR20087019336 |
申请日期 |
2008.08.07 |
| 申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
KAKOSCHKE RONALD;NIRSCHL THOMAS |
| 分类号 |
H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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