| 发明名称 | 发光二极管封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管封装结构。一发光二极管芯片位于散热块上，一钻石粉末层包覆于发光二极管芯片上，且共形于发光二极管芯片的表面。一荧光粉层，包覆于钻石粉末层上，且共形于钻石粉末层的表面。一透镜层包覆于荧光粉层外。发光二极管芯片、钻石粉末层、荧光粉层以及透镜层的折射率依序递减。 | ||
| 申请公布号 | CN101290958A | 申请公布日期 | 2008.10.22 |
| 申请号 | CN200710098171.2 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发明人 | 赵自皓;李晓乔;许晋源 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1、一种发光二极管封装结构，其特征在于，至少包含：一散热块；一发光二极管芯片，位于该散热块上；一钻石粉末层，包覆于该发光二极管芯片上，且共形于该发光二极管芯片的表面；一荧光粉硅胶层，包覆于该钻石粉末层上，且共形于该钻石粉末层的表面；以及一透镜层，包覆于该荧光粉硅胶层外，其中该发光二极管芯片、该钻石粉末层、该荧光粉硅胶层以及该透镜层的折射率依序递减。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县土城市中央路三段76巷25号 | ||