发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:半导体衬底,其中形成有电路区域;金属布线层,形成在所述半导体衬底上并包括多条金属布线和层间介电层;第一导电层,形成于所述金属布线层上并电连接到所述多条金属布线中的一条金属布线;本征层图案,形成在包括所述第一导电层的金属布线层上;像素隔离层,形成在所述本征层图案之间;以及第二导电层,形成于所述本征层图案与所述像素隔离层之间。垂直集成光电二极管区域和晶体管区域以提高图像传感器的填充系数和分辨率。可以通过设置在相邻的光电二极管区域之间的金属隔离层隔离多个像素单元。 |
申请公布号 |
CN101290941A |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200710153491.3 |
申请日期 |
2007.09.20 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
金兑规 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
1、一种图像传感器,包括:半导体衬底,其中形成有电路区域;金属布线层,形成在所述半导体衬底上并包括多条金属布线和层间介电层;第一导电层,形成于所述金属布线层上并电连接到所述多条金属布线中的金属布线;多个本征层图案,在所述金属布线层以及所述第一导电层上形成;像素隔离层,形成在所述多个本征层图案之间;以及多个第二导电层,形成于所述多个本征层图案与所述像素隔离层之间。 |
地址 |
韩国首尔 |