发明名称 高比容阳极铝箔及其制备方法
摘要 本发明提供高比容阳极铝箔及其制备方法,该方法能够提高铝电解电容器比容,所述高比容阳极铝箔为具有高介电常数的覆银阳极铝箔。本发明利用掺杂于氧化铝孔道中的导电银微粒对介电层的渗流作用,通过含银溶液浸渍处理实现在腐蚀铝箔或化成铝箔的表面沉积银,干燥后,经或不经表面处理,高温热分解形成Ag-Al复合氧化膜,最后进行阳极氧化处理,得到所述高比容阳极铝箔。利用本发明制备的高比容的铝化成箔制成的低中高压铝电解电容器,与未经处理的化成箔比较,其比容提高30%-200%,同时阳极箔的耐压特性也得到改善。该技术能够与目前电化学腐蚀扩面生产线或化成线实现联动。
申请公布号 CN101281823A 申请公布日期 2008.10.08
申请号 CN200810028493.4 申请日期 2008.06.03
申请人 华南师范大学 发明人 铁绍龙;梁霞妹
分类号 H01G9/045(2006.01);H01G9/055(2006.01);C23C8/10(2006.01);C25D11/04(2006.01) 主分类号 H01G9/045(2006.01)
代理机构 广州粤高专利代理有限公司 代理人 何淑珍
主权项 1、高比容阳极铝箔的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将腐蚀铝箔或化成铝箔浸泡在含银溶液中,含银溶液中银浓度为0.0001~0.05mol/L,溶液温度为0~60℃,浸泡时间为0.1~10min,然后80~120℃干燥,得表面覆银铝箔;(2)将步骤(1)中获得的表面覆银铝箔在360~600℃高温下热处理0.5~30min,得Ag-Al复合氧化膜铝箔;(3)将步骤(2)中表面覆盖有Ag-Al复合氧化膜的铝箔在电解质溶液中进行阳极氧化化成处理即得所述高比容阳极铝箔。
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