半导体装置以及制造方法

摘要

本发明提供一种能够把绝缘膜改质的半导体制造装置。在照射装置中具有对绝缘膜照射光的照射机构，该光的波长在与该绝缘膜的吸收端对应的波长以上，且在为了切断与该绝缘膜的氢相关的结合基所必要的波长以下。

主权项

1.一种半导体制造装置，包括：反应室，具有：照射机构，其对绝缘膜照射光，该光的波长在与该绝缘膜的吸收端对应的波长以上，且在为了切断与该绝缘膜的氢相关的结合基所需要的波长以下；加热器，其加热具有上述绝缘膜的晶片；和防止除去机构，其用于防止基于通过从上述照射机构照射光而在上述晶片与上述加热器之间产生的静电所造成的、该晶片相对该加热器的位置偏移，和在进行上述光的照射时，使上述反应室内形成氮气气氛或惰性气体气氛的机构。