发明名称 | 磁控溅射装置 | ||
摘要 | 提供一种磁控溅射装置,通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度,使成膜速度提高,并且使腐蚀区域时间性移动,防止靶的局部性损耗,使靶实现均匀损耗,从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3),通过使柱状旋转轴(2)旋转,在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域,使成膜速度提高,同时随着柱状旋转轴(2)旋转,腐蚀区域产生运动,使靶(1)均匀消耗。 | ||
申请公布号 | CN101283114A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
申请号 | CN200680037196.5 | 申请日期 | 2006.10.06 |
申请人 | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明 |
分类号 | C23C14/35(2006.01) | 主分类号 | C23C14/35(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
主权项 | 1.一种磁控溅射装置,其具有被成膜基板和与被成膜基板相对设置的靶、以及被设置在与靶的被处理基板相反侧的磁体,通过该磁体,在靶表面形成磁场,由此将等离子体封闭在靶表面,其特征在于,所述磁体包括:在柱状旋转轴上设有多个板磁体而成的旋转磁体群、和与靶面平行地设置在旋转磁体群的周边且在与靶面垂直的方向上磁化的固定外周板磁体,通过使所述旋转磁体群与所述柱状旋转轴一起旋转,以所述靶表面的磁场图案与时间一起动作的方式构成。 | ||
地址 | 日本国宫城县 |