| 发明名称 | 磁阻结构 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种磁阻结构，例如用为磁场感应器中的自旋阀(Spin-valve)或巨磁阻(Giant MagnetoResistance；GMR)堆叠。此磁阻结构使用扭转耦合(Twisted Coupling)去诱发自由层与钉住层(PinnedLayer)间的垂直磁化对列。自由与钉住层的铁磁性层与钉住层是利用具有实质平行交换偏压方向的抗铁磁性层达成而交换耦合。因此，实施例可使抗铁磁性层由相同材料所形成和/或具有相同的绝缘温度(BlockingTemperature)。自由层与钉住层其中至少一者更包括第二抗铁磁性层与位于两抗铁磁性层之间的绝缘层(例如奈米氧化层)。此绝缘层导致两抗铁磁性层间的扭转耦合，并施转相对于另一个磁化方向的90度的磁化方向。 | ||
| 申请公布号 | CN100424753C | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200610074474.6 | 申请日期 | 2006.04.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王郁仁;赖志煌;林文钦;邓端理;王昭雄 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);H01F10/32(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/06(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1. 一种磁阻结构，其特征在于其至少包括：一钉住层，其至少包括一第一铁磁性层；一第一抗铁磁性层，是交换耦合至该第一铁磁性层；一间隙壁层；一自由层，通过该间隙壁层而与该钉住层分开，该自由层至少包括一第二铁磁性层；以及一第二抗铁磁性层，是交换耦合至该第二铁磁性层；其中该钉住层至少包括一第三铁磁性层和一绝缘层，该绝缘层系位于该第一铁磁性层和该第三铁磁性层之间，且该绝缘层更与该第一铁磁性层和该第三铁磁性层接触。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行六路8号 | ||