| 发明名称 | 具有减小的栅极－源极/漏极电容的半导体晶体管 | ||
| 摘要 | 一种新颖半导体结构及形成该结构的方法。半导体结构包括(a)栅极层，(b)在栅极层上的栅极介质层，(c)在栅极介质层上的半导体层。半导体层通过栅极介质层与栅极层电绝缘。半导体层包括(i)与栅极介质层直接物理接触的第一和第二沟道区域，以及(ii)第一，第二和第三源极/漏极区域。第一沟道区域设置在第一和第二源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。第二沟道区域设置在第二和第三源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。第一，第二和第三源极/漏极区域在栅极层正上方。 | ||
| 申请公布号 | CN100424889C | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200510115136.8 | 申请日期 | 2005.11.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：(a)栅极层；(b)在所述栅极层上的栅极介质层；(c)在所述栅极介质层上的半导体层；其中所述半导体层通过所述栅极介质层与所述栅极层电绝缘，其中所述半导体层包括(i)与所述栅极介质层直接物理接触的第一和第二沟道区域，(ii)第一和第二晕圈区域，以及(iii)第一，第二和第三源极/漏极区域，其中所述第一晕圈区域与所述第一源极/漏极区域直接物理接触，并且所述第二晕圈区域与所述第二源极/漏极区域直接物理接触，其中所述第一沟道区域设置在所述第一和第二源极/漏极区域之间并与之直接物理接触，以及其中所述第二沟道区域设置在所述第二和第三源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||