发明名称 |
反应磁控溅射TiN/SiO<SUB>2</SUB>硬质纳米多层涂层的制备方法 |
摘要 |
一种反应磁控溅射TiN/SiO<SUB>2</SUB>硬质纳米多层涂层的制备方法,属于工模具涂层制备技术领域。本发明采用多靶磁控溅射涂层制备设备,在低气压的Ar和N<SUB>2</SUB>混合气氛中,由独立的射频阴极分别控制金属Ti靶和化合物SiO<SUB>2</SUB>靶,通过基体在两靶前产生的等离子体中交替停留形成层状结构。其中TiN层通过金属Ti靶与N<SUB>2</SUB>气反应生成,而SiO<SUB>2</SUB>层则由SiO<SUB>2</SUB>化合物靶直接溅射获得,且在发明所述的N<SUB>2</SUB>气氛围中溅射得到的SiO<SUB>2</SUB>层不含氮。本发明提供的具有很高生产效率的TiN/SiO<SUB>2</SUB>纳米多层涂层的反应磁控溅射制备技术,可以满足具有高硬度和优异抗氧化性能、适用于高速切削和干式切削涂层的工业规模化生产的需要。 |
申请公布号 |
CN100424224C |
申请公布日期 |
2008.10.08 |
申请号 |
CN200610029132.2 |
申请日期 |
2006.07.20 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
孔明;李戈扬;刘艳;戴嘉维 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1. 一种反应磁控溅射TiN/SiO2硬质纳米多层涂层的制备方法,其特征在于:采用多靶磁控溅射涂层制备设备,金属Ti靶和陶瓷SiO2靶分别由独立的射频阴极控制,在Ar和N2混合气氛中进行反应磁控溅射,TiN层通过溅射金属Ti靶并与N2气反应生成,而SiO2层则由SiO2化合物靶直接溅射获得,多层涂层通过基体在Ti靶和SiO2靶前交替接受溅射形成纳米层状结构,其中N2气分压为0.04~0.08Pa,TiN层厚度为4.0~15nm,SiO2层厚度为0.3~1.3nm。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |