| 发明名称 | 光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。所述方法可用于光刻工艺的返工方法中。本发明方法能够将所述半导体晶片表面的光刻胶去除干净，并不会对所述半导体晶片表面造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101281379A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710039253.X | 申请日期 | 2007.04.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨光宇 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01);G03F7/36(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/42(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1. 一种光刻胶的去除方法，包括：提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||