制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法

摘要

一种制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法，包括：在轻参杂硅衬底上依次生长子收集区、收集区、基区及发射区，形成制作器件的基片；采用干法刻蚀的方法，在器件基片的表面相隔预定间距刻蚀至收集区，形成子单元台面；在子单元台面上制作发射极金属电极，利用发射极金属电极作掩蔽，采用湿法腐蚀形成基区台面；采用带胶剥离的方法在基区台面和收集区台面同时形成基区和收集区电极；在经过制作的基片表面淀积二氧化硅包层，在该二氧化硅包层上光刻腐蚀电极孔；再在二氧化硅包层上蒸镀金属电极、光刻腐蚀形成单元互联电极，完成器件的制作。

主权项

1. 一种制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法，利用碱性腐蚀液对特定晶向(100)硅锗合金材料与沿(110)晶向生长硅的高选择性腐蚀比形成特定的倒台面结构，来实现基区和收集区的电极的自对准工艺，其特征在于，包括如下步骤：a)在轻参杂硅衬底上依次生长子收集区、收集区、基区及发射区，形成制作器件的基片；b)采用干法刻蚀的方法，在器件基片的表面相隔预定间距刻蚀至收集区，形成子单元台面，为湿法腐蚀过程中同时形成基区台面和收集区台面的倒台结构创造条件；c)在子单元台面上制作发射极金属电极，利用发射极金属电极作掩蔽，采用湿法腐蚀形成基区台面；d)采用带胶剥离的方法在基区台面和收集区台面同时形成基区和收集区电极；e)在经过制作的基片表面淀积二氧化硅包层，在该二氧化硅包层上光刻腐蚀电极孔；f)再在二氧化硅包层上蒸镀金属电极、光刻腐蚀形成单元互联电极，完成器件的制作。