五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法

摘要

本发明提供生长五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法，包括：(1)将原料TiO₂和Ti按Ti₃O₅配料，混合均匀、压块；(2)压块原料装入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，对整个系统升温抽真空至10^－3－10^－4Pa，当炉温达到1400－1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至1800－1900℃；(3)炉温达到设定温度后，保温3－6小时，原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在20－60℃/cm的范围内，坩埚下降速率在0.1－5.0mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，在生长炉内适当位置保温10－24小时，然后以25－80℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。

主权项

1.一种生长五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法，包括以下步骤：(1)将原料TiO2和Ti按Ti3O5配料，混合均匀、压块；(2)将步骤(1)得到压块的原料装入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，对整个系统升温并抽真空至10-3-10-4Pa，当炉温达到1400-1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1800-1900℃的范围内；(3)炉温达到设定温度后，保温3-6小时，使原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在20-60℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.1-5.0mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，在生长炉内适当位置保温10-24小时，然后以25-80℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。