| 发明名称 | 半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体制造装置(1)包括腔室(2)，气体供给装置(3)，真空泵(5)，电极(6)，导电编织丝网(21)和射频电源(18)。电极6被安置在腔室之外并固定到该腔室。气体供给装置将气体提供到腔室中。真空泵对腔室进行排气。射频电源经由导电编织丝网向电极提供射频能量。 | ||
| 申请公布号 | CN101281860A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200810090577.0 | 申请日期 | 2008.04.03 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 竹原圭一郎 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);G03F7/42(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;孙志湧 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造装置包括：腔室；气体供给装置，被配置为将气体提供到所述腔室中；真空泵，被配置为对所述腔室进行排气；电极，被配置在所述腔室之外且被固定到所述腔室；导电编织丝网；以及射频电源，被配置为通过所述导电编织丝网向所述电极提供射频能量。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||