| 发明名称 | 用于后蚀刻残余物的胶束技术 | ||
| 摘要 | 本文提供一种清洗半导体器件的方法。根据该方法，提供(101)半导体器件，并将胶束溶液施加(103)到半导体器件上。该方法尤其用于清洗铜和硅表面以及从通孔或沟槽表面上除去加工残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN100424829C | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200480020002.1 | 申请日期 | 2004.07.07 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 巴尔戈文德·K·夏尔马 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01);H01L21/461(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李涛;钟强 |
| 主权项 | 1. 一种清洗半导体器件的方法，包括如下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件表面上具有有机金属加工残余物；和通过将胶束溶液施加到所述半导体器件表面上的所述有机金属加工残余物，从所述半导体器件表面除去所述有机金属加工残余物，其中所述的胶束溶液以重量计包括0.01％至1％的表面活性剂、1％至10％的柠檬酸、以及1％至10％的草酸。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||