| 发明名称 | 纳米碳制造装置 | ||
| 摘要 | 在纳米碳制造装置(173)中，在制造室(107)内设置平面镜(169)和抛物面镜(171)。由激光束源(111)发射出并透过ZnSe窗(133)的出射光束被平面镜(169)和抛物面镜(171)反射。另外，在用抛物面镜(171)将光束聚焦之后，以所述光束照射石墨棒(101)的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN100424008C | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200480017844.1 | 申请日期 | 2004.06.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 助丈史;吉武务;久保佳实;糟屋大介;饭岛澄男;汤田坂雅子 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01) | 主分类号 | C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;杨青 |
| 主权项 | 1. 纳米碳制造装置，其包含：石墨靶；容纳所述石墨靶的室；在所述室的一部分上设置的窗单元；将光通过所述窗单元照射至所述石墨靶表面上的光源；将产生自碳蒸气的纳米碳进行回收的回收单元，所述碳蒸气是由所述光照射而从所述石墨靶蒸发的；以及将透过所述窗的透射光进行反射，从而将所述透射光引导至所述石墨靶的所述表面的反射部件，所述透射光的反射不少于2次。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||