| 发明名称 | Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种III－V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III－V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101283456A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200680035398.6 | 申请日期 | 2006.09.27 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 山中贞则;上田和正;土田良彦 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);C23C16/34(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1. 一种III-V族氮化物半导体的制造方法，其特征在于，依次包括工序(i)、(ii)和(iii)，(i)在基板上面配置无机粒子的工序；(ii)使半导体层生长的工序；以及(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||