制造半导体器件的方法

摘要

通过如下步骤来实现制造半导体器件的方法。在置于室中的半导体基片的导电部分上形成层间绝缘膜；形成接触孔以通过层间绝缘膜到达导电部分；形成阻挡金属层以覆盖接触孔的侧壁部分的底部；从含氟的材料气体中形成钨层，并且通过后净化工艺从钨层中去除氟，形成的钨层填充其中已形成了阻挡金属层的接触孔。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：在置于室中的半导体基片的导电部分上形成层间绝缘膜；形成通过所述层间绝缘膜到达所述导电部分的接触孔；形成覆盖所述接触孔的侧壁部分和底部的阻挡金属层；从含氟的材料气体中形成钨层以填充其中已形成了所述阻挡金属层的所述接触孔；以及通过后净化工艺从所述钨层中去除所述氟，其中：向所述室中引入氢气和惰性气体以进行第四气体净化；在所述第四气体净化之后，向所述室中引入所述氢气和氢化硅气体以进行所述后净化工艺，以在所述钨层上形成硅层，以便所述硅层中的硅和所述钨层中的氟起反应而形成氟化硅层；向所述室中引入所述氢气和所述惰性气体以进行第五气体净化；以及在所述第五气体净化之后，去除所述氟化硅层。