| 发明名称 | 形成高介电值栅极绝缘层的方法及包括该绝缘层的晶体管 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管(300)包括包含非等向性介电物的栅极绝缘层(305)。该方向经由选择使得平行于该栅极绝缘层的第一介电常数为实质上小于垂直于该栅极绝缘层的第二介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN100424826C | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN03820663.3 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | K·维乔雷克;C·雷德霍斯 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/51(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1. 一种场效应晶体管(300)，包括形成在有源区域的上方及包含高介电值介电物(305)的栅极绝缘层，其中垂直于该栅极绝缘层的该高介电值介电物的介电常数高于平行于该栅极绝缘层的该高介电值介电物的介电常数，且该栅极绝缘层的电容等效厚度为小于2纳米。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||