缩小图案线距的方法

摘要

本发明是关于一种缩小图案线距的方法，是先在一衬底上依序形成一材料层、一硬掩膜层以及一图案化光刻胶层。接着，以图案化光刻胶层作为蚀刻掩膜，蚀刻硬掩膜层，此时因为负载效应，因此会在蚀刻区域中残留有部分硬掩膜层，而在蚀刻区域中硬掩膜层的边缘处形成沟渠。随后，以残留的硬掩膜层作为蚀刻掩膜，图案化材料层。再将图案化光刻胶层与硬掩膜层去除。由于在蚀刻硬掩膜层时利用沟渠效应以使蚀刻区域中残留有部分硬掩膜层而形成沟渠，因此后续再将沟渠图案转移至材料层，而使材料层被图案化之后，其图案的线距将会大幅的缩小。

主权项

1. 一种缩小图案线距的方法，其特征在于其包括：在一衬底上形成一材料层；在该材料层上形成一硬掩膜层；在该硬掩膜层上形成一图案化光刻胶层，暴露出一暴露区；以该图案化光刻胶层作为蚀刻掩膜，蚀刻该硬掩膜层，其中因为沟渠效应，在暴露区中会残留有部分的该硬掩膜层，而在暴露区中该硬掩膜层的边缘处形成多个沟渠；以残留的该硬掩膜层作为蚀刻掩膜，图案化该材料层；以及去除该图案化光刻胶层与该硬掩膜层。