发明名称 晶粒自动对位、以及堆栈式封装结构及其制造方法
摘要 本发明是关于一种晶粒自动对位的封装结构及其制造方法,以及堆栈式封装结构及其制造方法,该晶粒自动对位的封装结构的制造方法,包括:(a)提供一载体,该载体具有数个承载平台;(b)提供数个晶粒,且分别将所述晶粒置放于所述承载平台上;(c)进行回焊制程,使得所述晶粒对齐于所述承载平台;(d)形成一封胶材料于所述晶粒间的间隙;及(e)进行切割制程,以形成数个封装结构。藉此,所述晶粒在回焊过程中会有自动对齐的效果,因此晶粒附着机的精度要求不高。
申请公布号 CN101281875A 申请公布日期 2008.10.08
申请号 CN200810099849.3 申请日期 2008.05.26
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王盟仁;王维中
分类号 H01L21/50(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/538(2006.01) 主分类号 H01L21/50(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 陆嘉
主权项 1.一种堆栈式封装结构的制造方法,包括:(a)提供第一载体,该第一载体具有数个第一承载平台;(b)提供数个第一晶粒,每一第一晶粒具有至少一个第一穿导孔,分别将所述第一晶粒置放于所述第一承载平台上;(c)进行回焊制程,使得所述第一晶粒对齐于所述第一承载平台;(d)形成第一封胶材料于所述第一晶粒间的间隙;(e)移除该第一载体,以暴露出该第一穿导孔,且该第一封胶材料具有第一表面及一第二表面;(f)分别形成第一上电路层及第一下电路层于该第一封胶材料的第二表面及第一表面,该第一上电路层是利用该第一穿导孔电性连接至该第一下电路层,以形成一第一封装单元;(g)提供一第二封装单元;(h)堆栈该第一封装单元及该第二封装单元;及(i)进行切割制程,以形成数个堆栈式封装结构。
地址 台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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