发明名称 | 制作光感应器的方法 | ||
摘要 | 一种制作光感应器的方法。该方法包括:提供一基板,其包括一薄膜晶体管区域以及一光感应区域;于该基板上形成一图案化第一导电层;于该基板与该栅极表面形成一栅极介电层;于该栅极上方的该栅极介电层表面形成一图案化非晶硅层;于该基板上形成一图案化第二导电层;于该基板上形成一图案化富硅介电层;以及于该基板上形成一图案化透光导电层,其至少包括该光感应器的一上电极,设于该光感应区域。该光感应器包括下电极、含有富硅材料的介电层与上电极,能有效提高光感应器的器件可靠性,且能整合薄膜晶体管的制造工艺而降低产品的整体制造工艺成本。 | ||
申请公布号 | CN101281887A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
申请号 | CN200810108414.0 | 申请日期 | 2008.05.27 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 石靖节;卓恩宗;彭佳添;林昆志 |
分类号 | H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
主权项 | 1.一种于非晶硅薄膜晶体管面板上制作光感应器的方法,该方法包括:提供一基板,其包括一薄膜晶体管区域以及一光感应区域;于所述的基板上形成一图案化第一导电层,该图案化第一导电层包括一薄膜晶体管的一栅极,设于该薄膜晶体管区域;于所述的基板与所述的栅极表面形成一栅极介电层;于所述的栅极上方的所述的栅极介电层表面形成一图案化非晶硅层;于所述的基板上形成一图案化第二导电层,其包括所述的薄膜晶体管的一源极与一漏极以及一光感应器的一下电极,且该源极与该漏极是设于所述的栅极的上方,而所述的下电极是设于所述的光感应区域;于所述的基板上形成一图案化富硅介电层,该图案化富硅介电层包括设于所述的光感应区域且电性连接所述的下电极,且所述的图案化富硅介电层至少暴露部分所述的漏极;以及于所述的基板上形成一图案化透光导电层,其至少包括所述的光感应器的一上电极,设于所述的光感应区域。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |