合成多晶硅原料三氯氢硅的方法

摘要

本发明公开了一种合成多晶硅原料三氯氢硅的方法，该方法包括以下步骤：A)硅粉用干燥的氯化氢气体输送到三氯氢硅合成炉；B)反应的氯化氢按比例从三氯氢硅合成炉底部输入合成炉内，合成炉中同时加入适量氢气和四氯化硅；C)温度控制在280～310℃，硅粉和氯化氢发生反应，生成包括有三氯氢硅和四氯化硅的混合气体；D)除去粉尘及高氯硅烷的混合气体，经水冷和隔膜压缩机加压后，再用－40℃冷媒将三氯氢硅和四氯化硅冷凝为液体，其中，分离出包含H₂、HCl的不凝气体。该方法可将三氯氢硅收率从82％提高88％以上。

主权项

1.一种合成多晶硅原料三氯氢硅的方法，其特征是，主要包括以下步骤：A)硅粉通过管道用气体输送至硅粉仓，再加入硅粉烘粉炉，用干燥的氯化氢输送到三氯氢硅合成炉；B)反应氯化氢从三氯氢硅合成炉底部输入合成炉内，所述输入的反应氯化氢与步骤A)中所述的硅粉的摩尔比：2～2.5∶1；合成炉中还加入氢气和四氯化硅，氢气与输入的反应氯化氢的摩尔比：1∶10～15，四氯化硅与输入的反应氯化氢的摩尔比：1∶8～10；C)温度控制在280～310℃，硅粉和氯化氢发生反应，生成主要包括有三氯氢硅和四氯化硅的混合气体；该混合气体经分离过滤后除去粉尘及高氯硅烷，其中，未反应的硅粉再利用干燥的氯化氢气体输送到合成炉；D)除去粉尘及高氯硅烷的混合气体，经水冷和隔膜压缩机加压后，再用-40℃冷媒将三氯氢硅和四氯化硅冷凝为液体，其中，分离出包含H2、HCl的不凝气体。