| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法。首先，在基底上形成金属氧化物半导体晶体管，接着，在基底上形成接触窗蚀刻停止层。然后，进行第一紫外光熟化工艺，以增加接触窗蚀刻停止层的应力。之后，在接触窗蚀刻停止层上形成介电层。继之，进行第二紫外光熟化工艺，以增加介电层的应力。其后，进行化学机械抛光工艺。之后，在介电层上形成顶盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN101281880A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710092048.X | 申请日期 | 2007.04.04 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 廖秀莲;陈能国;陈哲明;蔡腾群;黄建中 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种半导体元件的制造方法，适用于已形成金属氧化物半导体晶体管的基底上，该方法包括：在该基底上形成接触窗蚀刻停止层；进行第一紫外光熟化工艺；在该接触窗蚀刻停止层上形成介电层；进行第二紫外光熟化工艺；在该介电层上形成顶盖层；以及进行化学机械抛光工艺。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||