| 发明名称 | 晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001％～20％。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。 | ||
| 申请公布号 | CN101281856A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710091028.0 | 申请日期 | 2007.04.05 |
| 申请人 | 北京邮电大学 | 发明人 | 任晓敏;黄辉;王文娟;宋海兰;王琦;黄永清 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/18(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱黎光 |
| 主权项 | 1. 一种晶片键合的硼化物表面处理剂，其中所述的表面处理剂为硼化物溶液，所述的硼化物溶液中含有硼酸根离子、硼氢根离子或硼酸根离子和硼氢根离子混合物。 | ||
| 地址 | 100876北京市海淀区西土城路10号 | ||