| 发明名称 | 非易失性半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 示例实施例涉及一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。半导体装置包括从基底突出的隔离层、分隔件、隧道绝缘层、浮置栅极、介电层图案和控制栅极。分隔件可以形成在隔离层的突出部分的侧壁上。隧道绝缘层可以在基底上形成在相邻的隔离层之间。浮置栅极可以形成在隧道绝缘层上。浮置栅极接触分隔件，并具有从下部向上部逐渐增加的宽度。介电层图案和控制栅极可以顺序形成在浮置栅极上。 | ||
| 申请公布号 | CN101281911A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200810090815.8 | 申请日期 | 2008.04.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴珍俊;郭僖珍;阵范俊 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;常桂珍 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，包括：隔离层，从基底突出；分隔件，形成在隔离层的突出部分的侧壁上；隧道绝缘层，在基底上形成在相邻的隔离层之间；浮置栅极，形成在隧道绝缘层上，浮置栅极接触分隔件，并具有从浮置栅极的下部向浮置栅极的上部逐渐增加的宽度；介电层图案，形成在浮置栅极上；控制栅极，形成在介电层图案上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||