| 发明名称 | 掩模的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种掩模的制造方法。该方法包括下列步骤：提供一基板，该基板具有位于该基板上方的第一衰减(attenuating)层以及位于该第一衰减层上的第一图像层；在写入模式下使用第一辐射能量对该第一图像层进行第一曝光步骤；对该第一衰减层进行第一蚀刻步骤；对该基板进行第二蚀刻步骤；在该第一衰减层以及该基板上形成第二图像层；使用一光线能量以及一掩模对该第二图像层进行第二曝光步骤；以及在该第二曝光步骤之后，对该第一衰减层进行第三蚀刻步骤。通过本发明，在扫描模式下的第二曝光步骤可以达到分辨率要求并降低第二曝光步骤的时间与制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101281360A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710142661.8 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈志明;曾雅萍;何铭涛 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | G03F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1. 一种掩模的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板具有位于该基板上方的第一衰减层以及位于该第一衰减层上的第一图像层；在写入模式下使用第一辐射能量对该第一图像层进行第一曝光步骤；对该第一衰减层进行第一蚀刻步骤；对该基板进行第二蚀刻步骤；在该第一衰减层以及该基板上形成第二图像层；使用一光线能量以及一掩模对该第二图像层进行第二曝光步骤；以及在该第二曝光步骤之后，对该第一衰减层进行第三蚀刻步骤。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||