可同时发射不同波长光的GaN基LED外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可同时发射不同波长光的GaN基LED外延片，所述外延片的结构从下至上依次为衬底、p型层I、量子阱I、n型层、量子阱II和p型层II。本发明外延片设有两个分隔的量子阱，通过在p型层I、n型层、和p型层II制作三个电极，可使两量子阱在外加电压下分别发射不同波长的光，该外延片制作成LED芯片后，可获得由量子阱I和量子阱II发出的不同波长的混合光，或者分别发出由量子阱I或量子阱II产生的一种颜色的单色光，大大拓展LED的应用范围。本发明提供的制备方法简单易行，成本较低，制备条件精确，可实现工业化生产。

主权项

1、一种可同时发射不同波长光的GaN基LED外延片，其特征在于所述外延片的结构从下至上依次为衬底、p型层I、量子阱I、n型层、量子阱II和p型层II。