发明名称 硅整流器件的刀刮法玻璃钝化工艺
摘要 本发明提供一种硅整流器件的刀刮法玻璃钝化工艺,(1)用混酸将经光刻后的扩散片腐蚀出PN结,去除光刻胶;(2)将乙基纤维素和稀释剂按比例配制成溶剂,然后将该溶剂与玻璃粉倒入茄形瓶中进行搅拌制成玻璃浆;(3)将玻璃浆均匀地涂敷在已刻蚀出沟槽的硅片表面,用刮刀将电极面多余的玻璃浆刮掉;(4)将涂敷后的硅片在585℃炉内进行玻璃预烧,时间为20min;(5)取出预烧过的硅片,将其电极面多余玻璃粉擦掉;(6)将擦拭过的硅片进行玻璃熔融,炉温为820℃,时间为20min;(7)对玻璃熔融后的硅片再进行第二次玻璃浆涂敷、预烧、擦拭、熔融;(8)将玻璃钝化后的硅片镀镍、镀金再划片,制成硅整流器件的芯片。此工艺操作简单,对设备依赖性小,易于实施,降低了生产成本和操作时间。
申请公布号 CN100424852C 申请公布日期 2008.10.08
申请号 CN200710057199.1 申请日期 2007.04.25
申请人 天津中环半导体股份有限公司 发明人 王道强;孙志昌;张贵武;李朴革
分类号 H01L21/784(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/316(2006.01) 主分类号 H01L21/784(2006.01)
代理机构 天津中环专利商标代理有限公司 代理人 胡京生
主权项 1. 一种硅整流器件的刀刮法玻璃钝化工艺,该方法包括以下工艺步骤:(1)将扩散出PN结的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程,做好光刻图形;(2)将硝酸、氢氟酸、乙酸按以下体积比配制成混酸腐蚀液:硝酸: 28~60%氢氟酸: 8~50%乙酸: 10~32%然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀,腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽,保持各芯片间连接而不断离,再进行去胶清洗;(3)配制玻璃浆用溶剂:将乙基纤维素和稀释剂按以下比例之中的某一值:1g:5ml~1g:18ml放在烧杯中加热搅拌溶解,制成玻璃浆用溶剂;(4)配制玻璃浆:将铅系玻璃粉和玻璃浆用溶剂按5g:3ml比例倒入茄形瓶中进行搅拌;(5)将搅拌好的玻璃浆滴到腐蚀出沟槽的硅片表面,用不锈钢勺子在硅片上涂敷,使玻璃浆均匀涂满沟槽内,再用不锈钢刮刀将多余的玻璃浆从硅片表面轻轻刮下,随后将此硅片放入石英舟内;(6)玻璃预烧:预烧炉管温度调到575~585℃,将装有涂敷好玻璃浆硅片的石英舟放入石英管中预烧,时间为20min;(7)擦拭预烧后硅片:将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净,且注意沟槽内玻璃浆不要擦掉;(8)玻璃烧成:对经过表面玻璃粉擦拭的硅片进行玻璃烧成,烧成炉的温度为820℃,烧成时间为20min:(9)按照(5)~(8)的次序再重新操作一遍;(10)将玻璃钝化后的硅片经镀镍、镀金合金化后进行划片,制成硅整流器件的芯片。
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