具有注入漏漂移区的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

沟槽MOSFET形成在包括覆盖N+型衬底(102)的P型外延层(100)的结构中。一沟槽形成在外延层(100)中。深注入N型层(106)形成在沟槽下面位于衬底与外延层之间的界面处，并通过沟槽底部注入N型掺杂剂以在外延层中在沟槽下面、却在深N型层上方并与之隔离形成N型区(120)。加热该结构，使N型层向上扩散而N型区向下扩散。扩散融合以形成从沟槽底部延伸到衬底的连续N型漏漂移区(122)。可选择地，通过以不同的能量经过沟槽底部注入N型掺杂剂可以形成漏漂移区，产生从沟槽底部延伸至衬底的N型区的一堆叠。

主权项

1. 一种制造功率MOSFET的方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在该衬底上提供与所述第一导电类型相反的第二导电类型的外延层；在所述外延层中形成沟槽；经过所述沟槽的底部注入所述第一导电类型的掺杂剂以在所述沟槽下面和接近所述衬底与所述外延层之间的界面处形成一掺杂剂的深层，所述掺杂剂的深层位于所述沟槽下面并与所述沟槽隔离；加热所述衬底以便使所述掺杂剂的深层向上扩散，从而形成从所述沟槽的所述底部向所述衬底延伸的漏漂移区；沿所述沟槽的所述底部和侧壁形成绝缘层；把导电栅极材料引入所述沟槽；以及把所述第一导电类型的掺杂剂引入所述外延层以形成源区，在使得用邻近所述沟槽侧壁的所述外延层的沟道区分隔所述源区和所述漏漂移区的条件下，形成所述漏漂移区和所述源区。