三维集成电路及其设计方法

摘要

一种三维(3D)集成电路(IC)、3D IC芯片、以及制造3D IC芯片的方法。此芯片包括多个电路层，例如各包括电路元件的绝缘体上硅(SOI)CMOS IC层。这些层可以被同时制作，且一个层固定到另一个层以形成层叠的3D芯片。

主权项

1. 一种制造集成电路芯片的方法，所述方法包含下列步骤：a)提供集成电路设计；b)定位和布线所述集成电路设计，电路元件被定位在至少二个电路层上，所述至少二个电路层的第一电路层的选定的所述电路元件被连接到所述至少二个电路层的第二电路层上相应的电路元件；c)制造所述至少二个电路层；d)将所述第二电路层固定到所述第一电路层；以及e)形成从所述第一电路层中和所述第二电路层中的电路元件延伸的连接通道，三维集成电路由所述第一电路层中的所述电路元件连接到所述第二电路层中的所述电路元件而形成；其中，定位和布线的步骤(b)包含下列步骤：i)将大多数电路元件定位在所述第一电路层中；以及ii)将其余的电路元件定位在所述第二电路层上，其中，将缓冲器定位和布线在所述第二电路层上；其中，定位大多数元件的步骤(i)包含下列步骤：A)先将所述集成电路设计的逻辑电路定位和布线在单个层上；和B)对定位和布线的所述逻辑电路进行性能分析。