用于微机电开关的贵金属接触

摘要

本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。

主权项

1. 一种微机电系统开关，包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极被贵金属接触覆盖，以及其中所述第二电极是嵌入介质中的导电致动电极；所述第一电极是嵌入介质中的导电信号电极，所述介质集成到所述可移动梁；以及其中所述贵金属接触包括抬升的金属接触和凹陷的金属接触，所述抬升的金属接触覆盖所述导电信号电极和所述凹陷的金属接触覆盖所述致动电极。