制造半导体器件的方法及移除间隙壁的方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体器件的方法，其包括于一半导体衬底上定义一电极；于电极的至少一侧壁上形成一间隙壁；于半导体衬底上进行一工艺操作，工艺操作使用间隙壁作为掩模并于半导体衬底与电极的顶部或表面产生一物质层；以及移除间隙壁的步骤。其中，移除间隙壁的步骤包括使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对间隙壁进行湿式蚀刻工艺。另一方面，还揭示一种半导体工艺中移除间隙壁的方法，是使用含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于100℃至150℃的温度下对半导体工艺中的间隙壁进行湿式蚀刻工艺。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：于一半导体衬底上定义一电极；于该电极的至少一侧壁上形成一间隙壁，该间隙壁包括硅氮化物；于该半导体衬底上进行一工艺操作，该工艺操作使用该间隙壁作为掩模及于该半导体衬底与该电极的顶部或表面产生一物质层；以及移除该间隙壁，其中移除该间隙壁的步骤包括：使用一含有磷酸的酸性溶液作为蚀刻液于140℃的第一温度下对该间隙壁进行一湿式蚀刻工艺，其中该含有磷酸的酸性溶液是于进行该湿式蚀刻工艺之前先于160℃的第二温度下经过硅化物时效处理，而达饱和点。