| 发明名称 | 具有次解析度辅助特征的光掩模与其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光掩模与其制造方法。此光掩模包含有透明的基材、主要特征和辅助特征。主要特征包含有一衰减(Attenuating)材料，并被置放在基材上。辅助特征包含有可提供相位移的次解析度(Sub－Resolution)特征。辅助特征与主要特征相距有一距离。辅助特征包含有由基材所定义的沟渠。本发明更包含有制造光掩模的方法。本发明减少光掩模缺陷的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN101281361A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200710145356.4 | 申请日期 | 2007.09.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林政旻;邱仁玺 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F1/08(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种光掩模，其特征在于至少包含：一透明基材；一主要特征，至少包含一衰减材料，其中该主要特征被置放在该透明基材上；以及一第一次解析度辅助特征，与该主要特征相距有一第一距离，其中该第一次解析度辅助特征至少包含由该透明基材所定义的一第一沟渠，并提供一相位移。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||